|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал
С. К. Брантовa, Е. Б. Якимовb a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
Аннотация:
Разработан способ непрерывного выращивания слоя самосвязанных кристаллитов карбида кремния на поверхности гибкой углеродной фольги с последующей пропиткой получаемых структур расплавом кремния. На основе полученного композиционного материала изготовлены терморезисторы для температурного диапазона 900–1450 K с термочувствительностью, достигающей значения 11350 K, способные использоваться в воздушной среде. Исследованы структурные и электрофизические характеристики упомянутого материала.
Поступила в редакцию: 18.07.2018 Исправленный вариант: 27.07.2018
Образец цитирования:
С. К. Брантов, Е. Б. Якимов, “Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 231–234; Semiconductors, 53:2 (2019), 220–223
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5592 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p231
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 8 |
|