Лазерный отжиг тонких пленок ITO на гибких органических подложках

Методом реактивного магнетронного распыления на пленочных подложках из полиэтилентерефталата при комнатной температуре получены тонкие пленки оксида индия и олова. Минимум удельного сопротивления пленок оксида индия и олова, полученных при комнатной температуре, составил 4.5 $\cdot$ 10$^{-4}$ Ом $\cdot$ см. Лазерный отжиг пленок оксида индия и олова толщиной от 140 до 600 нм увеличивает их проводимость от 10 до 24% в зависимости от плотности энергии на пленке и дозы облучения. Установлено, что лазерный отжиг пленок толщиной до 250 нм эффективен при плотности энергии в диапазоне от 12 до 35 мДж/см$^{2}$. Пленки толщиной от 390 до 600 нм необходимо отжигать лазерным излучением с плотностью энергии не менее 46 мДж/см$^{2}$. Рассмотрена модельная задача, учитывающая влияние лучистого охлаждения и теплообмена пленки и подложки на изменение температуры пленки во времени в процессе лазерного отжига. Было использовано одномерное уравнение теплопроводности для двухслойной среды. Рассчитаны максимальные напряжения в пленке оксида индия и олова при различных режимах отжига.