|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Лазерный отжиг тонких пленок ITO на гибких органических подложках
Л. С. Паршинаa, О. А. Новодворскийa, О. Д. Храмоваa, А. А. Лотинa, М. Д. Хоменкоa, П. А. Щурb a Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН – филиал Федерального государственного учреждения Федеральный научно-исследовательский центр
"Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
b Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт
авиационных материалов" Государственного научного центра Российской Федерации, Москва, Россия
Аннотация:
Методом реактивного магнетронного распыления на пленочных подложках из полиэтилентерефталата при комнатной температуре получены тонкие пленки оксида индия и олова. Минимум удельного сопротивления пленок оксида индия и олова, полученных при комнатной температуре, составил 4.5 $\cdot$ 10$^{-4}$ Ом $\cdot$ см. Лазерный отжиг пленок оксида индия и олова толщиной от 140 до 600 нм увеличивает их проводимость от 10 до 24% в зависимости от плотности энергии на пленке и дозы облучения. Установлено, что лазерный отжиг пленок толщиной до 250 нм эффективен при плотности энергии в диапазоне от 12 до 35 мДж/см$^{2}$. Пленки толщиной от 390 до 600 нм необходимо отжигать лазерным излучением с плотностью энергии не менее 46 мДж/см$^{2}$. Рассмотрена модельная задача, учитывающая влияние лучистого охлаждения и теплообмена пленки и подложки на изменение температуры пленки во времени в процессе лазерного отжига. Было использовано одномерное уравнение теплопроводности для двухслойной среды. Рассчитаны максимальные напряжения в пленке оксида индия и олова при различных режимах отжига.
Поступила в редакцию: 24.04.2018 Исправленный вариант: 21.05.2018
Образец цитирования:
Л. С. Паршина, О. А. Новодворский, О. Д. Храмова, А. А. Лотин, М. Д. Хоменко, П. А. Щур, “Лазерный отжиг тонких пленок ITO на гибких органических подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 169–173; Semiconductors, 53:2 (2019), 160–164
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5582 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p169
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 30 |
|