|
Физика полупроводниковых приборов
Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур
Н. И. Подольская, П. Б. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приведены результаты численного моделирования недавно открытого явления – субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур, инициированного быстро нарастающим высоковольтным импульсом. Показано, что электрическое поле в $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структуре на этапе роста напряжения практически однородно вдоль направления тока и достигает эффективного порога ударной ионизации $\sim$200 кВ/см на всей толщине структуры. Сравнение результатов численного моделирования и экспериментов указывает на однородность распределения поля и в поперечном к току направлении. Таким образом, сверхбыстрый лавинный пробой происходит квазиоднородно во всем объеме структуры. Время переключения составляет $\sim$150 пс. Проведено сравнение результатов расчетов для разных моделей ударной ионизации. Даны оценки параметров инициирующего импульса напряжения, необходимого для переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур.
Поступила в редакцию: 17.10.2018 Исправленный вариант: 25.10.2018
Образец цитирования:
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 401–406; Semiconductors, 53:3 (2019), 379–384
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5572 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p401
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 25 |
|