Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 401–406
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47294.8984
(Mi phts5572)
 

Физика полупроводниковых приборов

Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур

Н. И. Подольская, П. Б. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Приведены результаты численного моделирования недавно открытого явления – субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур, инициированного быстро нарастающим высоковольтным импульсом. Показано, что электрическое поле в $n^{+}$$n$$n^{+}$-структуре на этапе роста напряжения практически однородно вдоль направления тока и достигает эффективного порога ударной ионизации $\sim$200 кВ/см на всей толщине структуры. Сравнение результатов численного моделирования и экспериментов указывает на однородность распределения поля и в поперечном к току направлении. Таким образом, сверхбыстрый лавинный пробой происходит квазиоднородно во всем объеме структуры. Время переключения составляет $\sim$150 пс. Проведено сравнение результатов расчетов для разных моделей ударной ионизации. Даны оценки параметров инициирующего импульса напряжения, необходимого для переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-29-00094
Работы выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект № 14-29-00094.
Поступила в редакцию: 17.10.2018
Исправленный вариант: 25.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 379–384
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030151
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 401–406; Semiconductors, 53:3 (2019), 379–384
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodRod19}
\by Н.~И.~Подольская, П.~Б.~Родин
\paper Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$--$n$--$n^{+}$-структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 401--406
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5572}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47294.8984}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477178}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 379--384
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5572
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p401
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024