|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
ЭДС, возникающая в $p$–$n$-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света
Г. Гулямовa, У. И. Эркабоевb, Н. Ю. Шарибаевb, А. Г. Гулямовc a Наманганский инженерно-строительный институт
b Наманганский инженерно-технологический институт, г. Наманган
c Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Рассмотрено влияние сильного электромагнитного поля на токи и электродвижущие силы в $p$–$n$-переходе. Показано, что при воздействии электромагнитной волны $p$–$n$-переход становится источником электродвижущей силы зависящей от тока. Получено аналитическое выражение для электродвижущей силы и внутреннего сопротивления такого источника. Из экспериментальных графиков вольт-амперной характеристики $p$–$n$-перехода, помещенного в сильное сверхвысокочастотное электромагнитное поле, получены графики зависимости электродвижущей силы и внутреннего сопротивления от токов через диод.
Поступила в редакцию: 15.05.2018 Исправленный вариант: 01.10.2018
Образец цитирования:
Г. Гулямов, У. И. Эркабоев, Н. Ю. Шарибаев, А. Г. Гулямов, “ЭДС, возникающая в $p$–$n$-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 396–400; Semiconductors, 53:3 (2019), 375–378
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5571 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p396
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 52 | PDF полного текста: | 27 |
|