Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 396–400
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47293.8913
(Mi phts5571)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

ЭДС, возникающая в $p$$n$-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света

Г. Гулямовa, У. И. Эркабоевb, Н. Ю. Шарибаевb, А. Г. Гулямовc

a Наманганский инженерно-строительный институт
b Наманганский инженерно-технологический институт, г. Наманган
c Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Аннотация: Рассмотрено влияние сильного электромагнитного поля на токи и электродвижущие силы в $p$$n$-переходе. Показано, что при воздействии электромагнитной волны $p$$n$-переход становится источником электродвижущей силы зависящей от тока. Получено аналитическое выражение для электродвижущей силы и внутреннего сопротивления такого источника. Из экспериментальных графиков вольт-амперной характеристики $p$$n$-перехода, помещенного в сильное сверхвысокочастотное электромагнитное поле, получены графики зависимости электродвижущей силы и внутреннего сопротивления от токов через диод.
Поступила в редакцию: 15.05.2018
Исправленный вариант: 01.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 375–378
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030060
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Гулямов, У. И. Эркабоев, Н. Ю. Шарибаев, А. Г. Гулямов, “ЭДС, возникающая в $p$$n$-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 396–400; Semiconductors, 53:3 (2019), 375–378
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GulErkSha19}
\by Г.~Гулямов, У.~И.~Эркабоев, Н.~Ю.~Шарибаев, А.~Г.~Гулямов
\paper ЭДС, возникающая в $p$--$n$-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 396--400
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5571}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47293.8913}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477174}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 375--378
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030060}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5571
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p396
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024