Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 365–369
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47289.9015 (Mi phts5567) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера

А. В. Бабичевab, А. Г. Гладышевab, А. С. Курочкинa, Е. С. Колодезныйa, В. Н. Неведомскийc, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, А. Н. Софроновd, А. Ю. Егоровab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (506 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47289.9015
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по изготовлению методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию гетероструктур двухчастотного квантово-каскадного лазера, изготовленных на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As на подложке InP. Гетероструктуры содержали квантовые каскады, излучающие на длине волны 9.6 мкм, и каскады, которые излучают на длине волны 7.6 мкм. Показано высокое структурное совершенство изготовленных гетероструктур. Проведено исследование спектров спонтанного и стимулированного излучения, продемонстрирована многомодовая лазерная генерация полосковых лазеров на длине волны излучения 7.6 мкм.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-09580
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 16-29-09580. Электронно-микроскопические исследования выполнены с использованием оборудования ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях” (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург), поддержанного Министерством образования и науки России (Уникальный идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 29.10.2018
Исправленный вариант: 05.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 345–349
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, В. Н. Неведомский, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Н. Софронов, А. Ю. Егоров, “Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 365–369; Semiconductors, 53:3 (2019), 345–349
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabGlaKur19}
\by А.~В.~Бабичев, А.~Г.~Гладышев, А.~С.~Курочкин, Е.~С.~Колодезный, В.~Н.~Неведомский, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~Н.~Софронов, А.~Ю.~Егоров
\paper Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 365--369
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5567}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47289.9015}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477130}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 345--349
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5567
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p365
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024