Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ

Подложки монокристаллического $n$-Si с ориентацией (100) были имплантированы ионами $^{64}$Zn$^{+}$ с дозой 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$ и энергией 50 кэВ. Затем образцы подвергались облучению при комнатной температуре ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ в диапазоне флюенсов от 1 $\cdot$ 10$^{12}$ до 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$. Визуализация поверхности и поперечного сечения образцов проводилась с помощью растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Распределение имплантированного цинка и его оксида исследовалось методом времяпролетной вторично-ионной масс. После облучения Xe на поверхности образца обнаружены кластеры, состоящие из смеси Zn$\cdot$ZnO, и поверхностные поры. В подповерхностном слое аморфизованного кремния зафиксированы фазы цинка и его оксида. После облучения Xe с флюенсом 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ кластеры цинка или его оксида используемыми методами исследований в образцах не обнаружены.