Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 329–331
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47283.8792
(Mi phts5561)
 

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K

В. П. Махнийa, Н. Д. Вахнякb, О. В. Кинзерскаяa, Ю. П. Пирятинскийc

a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
c Институт физики НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Установлено, что легирование кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ иттербием из паровой фазы приводит к появлению в спектрах низкотемпературной люминесценции двух новых полос. Излучение в области энергий 1.15–1.35 эВ обусловлено переходами в ионе Yb$^{3+}$, а краевая полоса – переходами свободных электронов на акцепторные уровни неконтролируемых примесей Li с участием LO-фононов.
Поступила в редакцию: 07.12.2017
Исправленный вариант: 30.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 310–312
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Махний, Н. Д. Вахняк, О. В. Кинзерская, Ю. П. Пирятинский, “Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 329–331; Semiconductors, 53:3 (2019), 310–312
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakVakKin19}
\by В.~П.~Махний, Н.~Д.~Вахняк, О.~В.~Кинзерская, Ю.~П.~Пирятинский
\paper Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 329--331
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5561}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47283.8792}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477050}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 310--312
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5561
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p329
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024