Влияние содержания меди на кинетику микроволновой фотопроводимости твердых растворов CIGS

Исследована кинетика фотоотклика микроволновой фотопроводимости (9 ГГц, полостной резонатор TE$_{101}$-типа) при возбуждении лазерными импульсами света (длина волны 337 нм, длительность 8 нс) в медь-дефицитных твердых растворах со структурой халькопирита Cu$_{1-x}$(In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$)Se$_{2}$, 0 $<x\le$ 0.4 (CIGS) в широком диапазоне интенсивностей света. При повышении плотности лазерного излучения до уровня $\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ фотон/см$^{2}$ за импульс в характере фотоотклика наряду с ранее обнаруженным скин-эффектом проявляется эффект заполнения ловушек, создаваемых вакансиями $V_{\operatorname{Cu}}$ и ассоциатами дефектов Cu$^{+2}$ $\cdot$ $V_{\operatorname{Cu}}$, концентрация которых увеличивается при уменьшении значения $x$ в формуле для CIGS.