|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Влияние содержания меди на кинетику микроволновой фотопроводимости твердых растворов CIGS
Г. Ф. Новиковab, Е. В. Рабенокa, П. С. Оришинаab, М. В. Гапановичa, И. Н. Одинb a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Аннотация:
Исследована кинетика фотоотклика микроволновой фотопроводимости (9 ГГц, полостной резонатор TE$_{101}$-типа) при возбуждении лазерными импульсами света (длина волны 337 нм, длительность 8 нс) в медь-дефицитных твердых растворах со структурой халькопирита Cu$_{1-x}$(In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$)Se$_{2}$, 0 $<x\le$ 0.4 (CIGS) в широком диапазоне интенсивностей света. При повышении плотности лазерного излучения до уровня $\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ фотон/см$^{2}$ за импульс в характере фотоотклика наряду с ранее обнаруженным скин-эффектом проявляется эффект заполнения ловушек, создаваемых вакансиями $V_{\operatorname{Cu}}$ и ассоциатами дефектов Cu$^{+2}$ $\cdot$ $V_{\operatorname{Cu}}$, концентрация которых увеличивается при уменьшении значения $x$ в формуле для CIGS.
Поступила в редакцию: 08.10.2018 Исправленный вариант: 15.10.2018
Образец цитирования:
Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, П. С. Оришина, М. В. Гапанович, И. Н. Один, “Влияние содержания меди на кинетику микроволновой фотопроводимости твердых растворов CIGS”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 323–328; Semiconductors, 53:3 (2019), 304–309
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5560 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p323
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 12 |
|