Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 576–582
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47459.9024
(Mi phts5553)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Оптические и структурные свойства наноструктур Ag и $c$-Si, формирующихся в процессе металл-стимулированного химического травления кремния

Ю. А. Жарова, В. А. Толмачев, С. И. Павлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Работа, состоящая из двух частей, посвящена изучению особенностей трeхстадийного процесса металл-стимулированного химического травления кремния (МCХТ), используемого для получения кремниевых нанонитей. Ранее нами было проведено исследование слоя самоорганизующихся наночастиц серебра, осаждаемых химическим методом из раствора на поверхности монокристаллического кремния ($c$-Si) (стадия 1 МСХТ), а в настоящей работе – наноструктур Si, формируемых на стадиях 2 и 3. С помощью спектральной эллипсометрии (длины волн $\lambda$ = 250–900 нм) определены псевдодиэлектрические функции наноструктур и проведено их сопоставление для всех трех стадий процесса МСХТ. Кроме того, для наноструктур Si вычислены параметры слоев (толщина и доля пустот) в многослойной оптической модели с использованием приближения эффективной среды Бруггемана и подгоночных процедур.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01116 А
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 17-02-01116 А.
Поступила в редакцию: 20.11.2018
Исправленный вариант: 27.11.2018
Принята в печать: 27.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 566–572
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040274
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Жарова, В. А. Толмачев, С. И. Павлов, “Оптические и структурные свойства наноструктур Ag и $c$-Si, формирующихся в процессе металл-стимулированного химического травления кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 576–582; Semiconductors, 53:4 (2019), 566–572
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhaTolPav19}
\by Ю.~А.~Жарова, В.~А.~Толмачев, С.~И.~Павлов
\paper Оптические и структурные свойства наноструктур Ag и $c$-Si, формирующихся в процессе металл-стимулированного химического травления кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 576--582
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5553}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47459.9024}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644633}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 566--572
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040274}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5553
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p576
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024