Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 533–539
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47454.9009
(Mi phts5548)
 

Физика полупроводниковых приборов

Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом

А. В. Горбатюкa, Б. В. Ивановb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Впервые получено самосогласованное расчетно-теоретическое описание физических процессов в реверсивно-включаемых динисторах (РВД) при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом. Обосновано упрощенное представление нелинейного многомасштабного механизма взаимодействия между инжекционной и теплоотводящей подсистемами, и на этой основе разработан метод расчета максимальной частоты РВД-коммутатора. Рассчитана зависимость допустимой частоты от мощности охладителя для заданных параметров чипа и формы коммутируемых импульсов. Показано, что при обеспечении надлежащего теплоотвода единичные РВД-модули с площадью чипа 1 см$^{2}$ и рабочим напряжением $U\approx$ 2.5 кВ будут способны переключать энергию 0.25 Дж за импульс с частотой повторения до 30 кГц. Для высоковольтных генераторов на их основе с $U\approx$ 100 кВ передаваемая в нагрузку мощность на этой частоте составит несколько долей МВт.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-29-00094
Работа выполнена при поддержке РНФ, проект № 14-29-00094.
Поступила в редакцию: 22.10.2018
Исправленный вариант: 29.10.2018
Принята в печать: 29.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 524–529
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 533–539; Semiconductors, 53:4 (2019), 524–529
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorIva19}
\by А.~В.~Горбатюк, Б.~В.~Иванов
\paper Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 533--539
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5548}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47454.9009}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644628}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 524--529
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5548
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p533
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024