|
Физика полупроводниковых приборов
Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом
А. В. Горбатюкa, Б. В. Ивановb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Впервые получено самосогласованное расчетно-теоретическое описание физических процессов в реверсивно-включаемых динисторах (РВД) при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом. Обосновано упрощенное представление нелинейного многомасштабного механизма взаимодействия между инжекционной и теплоотводящей подсистемами, и на этой основе разработан метод расчета максимальной частоты РВД-коммутатора. Рассчитана зависимость допустимой частоты от мощности охладителя для заданных параметров чипа и формы коммутируемых импульсов. Показано, что при обеспечении надлежащего теплоотвода единичные РВД-модули с площадью чипа 1 см$^{2}$ и рабочим напряжением $U\approx$ 2.5 кВ будут способны переключать энергию 0.25 Дж за импульс с частотой повторения до 30 кГц. Для высоковольтных генераторов на их основе с $U\approx$ 100 кВ передаваемая в нагрузку мощность на этой частоте составит несколько долей МВт.
Поступила в редакцию: 22.10.2018 Исправленный вариант: 29.10.2018 Принята в печать: 29.10.2018
Образец цитирования:
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 533–539; Semiconductors, 53:4 (2019), 524–529
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5548 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p533
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 14 |
|