|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
А. Е. Беляевa, Н. С. Болтовецb, В. П. Кладькоa, Н. В. Сафрюк-Романенкоa, A. И. Любченкоa, В. М. Шереметa, В. В. Шинкаренкоa, А. С. Слеповаb, В. А. Пилипенкоc, Т. В. Петлицкаяc, А. С. Пилипчукd, Р. В. Конаковаa, А. В. Саченкоa a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b ГП НИИ "Орион", Киев, Украина
c ОАО "ИНТЕГРАЛ" – управляющая компания холдинга "ИНТЕГРАЛ", Минск, Республика Беларусь
d Институт физики НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Измерены экспериментально и описаны теоретически температурные зависимости удельного контактного сопротивления кремния $\rho_{c}$ со ступенькой легирования. Измерения проведены в диапазоне температур от 4.2 до 380 K. Установлено, что контакты исследованных структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si являются омическими. Показано, что минимальная величина $\rho_{c}$ реализуется при $T$ = 75 K. Ее значение растет как при понижении температуры (вследствие эффекта вымораживания), так и при повышении температуры (из-за наличия слоя обогащения электронами на границе с объемом). Установлено, что в приконтактной области, в слое толщиной порядка микрона, происходит сильное уменьшение объемной концентрации электронов вследствие компенсации кремния глубокими акцепторами, возникающими из-за образования достаточно большой концентрации вакансий при релаксации напряжений и появления большой плотности дислокаций, а также вследствие их диффузии от контакта после прогрева до 450$^\circ$C. Данные о существовании дефектов вакансионного типа подтверждены рентгеновскими измерениями. Из рентгеновских измерений оценена также плотность дислокаций в исследованных структурах.
Поступила в редакцию: 23.10.2018 Исправленный вариант: 06.11.2018 Принята в печать: 12.11.2018
Образец цитирования:
А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492; Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5539 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p485
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 12 |
|