Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 474–480
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47443.8944 (Mi phts5537) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Резонансное поглощение электромагнитного излучения в монослое фосфорена

В. В. Карпунинa, В. А. Маргулисb

a Мордовский государственный педагогический университет им. М.Е. Евсевьева
b Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева
PDF полного текста (187 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47443.8944
Аннотация: Найден коэффициент поглощения электромагнитного излучения в монослое фосфорена, помещенном в магнитное поле. Рассмотрен вырожденный и невырожденный электронный газ. Установлены резонансные зависимости коэффициента поглощения от частоты излучения и от приложенного магнитного поля. Учет рассеяния электронов на ионизованной примеси приводит к осцилляционным зависимостям коэффициента поглощения от частоты излучения и внешнего магнитного поля. Показан резонансный характер кривой поглощения. Найдены условия резонансов и положения резонансных пиков.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00475
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект 16-02-00475).
Поступила в редакцию: 02.07.2018
Исправленный вариант: 22.10.2018
Принята в печать: 22.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 458–464
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Карпунин, В. А. Маргулис, “Резонансное поглощение электромагнитного излучения в монослое фосфорена”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 474–480; Semiconductors, 53:4 (2019), 458–464
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarMar19}
\by В.~В.~Карпунин, В.~А.~Маргулис
\paper Резонансное поглощение электромагнитного излучения в монослое фосфорена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 474--480
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5537}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47443.8944}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644617}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 458--464
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5537
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p474
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024