|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Влияние фазового перехода второго рода на электропроводность структуры металл/полупроводник
И. Р. Набиуллинa, Р. М. Гадиевa, А. Н. Лачиновb a Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, г. Уфа
b Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН
Аннотация:
Представлены результаты исследования свойств потенциального барьера Cr–$p$-Si вблизи температур фазового перехода антиферромагнетик/парамагнетик в Cr. Обнаружено значительное изменение потенциального барьера и аномальное увеличение проводимости в структуре Cr–$p$-Si-Au вблизи температуры фазового перехода 2-го рода антиферромагнетик/парамагнетик в хроме. Установлено, что по мере приближения к температуре фазового перехода в структуре наблюдается нарастание флуктуаций тока. Интерпретация полученных экспериментальных результатов строится на предположении о том, что наблюдаемые изменения электронных транспортных свойств контакта Cr–Si обусловлены изменением положения квазиуровня Ферми хрома в результате фазового перехода 2-го рода.
Поступила в редакцию: 15.11.2018 Исправленный вариант: 26.11.2018 Принята в печать: 26.11.2018
Образец цитирования:
И. Р. Набиуллин, Р. М. Гадиев, А. Н. Лачинов, “Влияние фазового перехода второго рода на электропроводность структуры металл/полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 462–465; Semiconductors, 53:4 (2019), 439–441
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5533 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p462
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 11 |
|