Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 441–449
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47436.8963
(Mi phts5530)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Термоэлектрические характеристики сильно легированного теллурида свинца $p$-типа при разной глубине зоны тяжелых дырок

А. В. Дмитриев

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: Рассчитан полный комплект термоэлектрических величин сильно легированного $p$-PbTe в диапазоне температур 300–1200 K при концентрации акцепторов $N_{a}$= 1 $\cdot$ 10$^{19}$-4 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ и глубине зоны тяжелых дырок от 0.36 до 0.7 эВ. Величина термоэлектрической эффективности $Z$ оказалась весьма чувствительна к уровню легирования, увеличиваясь в 1.5 раза при возрастании концентрации примеси с 1 $\cdot$ 10$^{19}$ до 5 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$, причем наибольшее значение $Z$ отвечает $N_{a}$ = (1–2) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Изменение глубины зоны тяжелых дырок приводит к заметному смещению положения максимума $Z$ по оси температуры без существенного изменения величины $Z$ в максимуме. Температура, отвечающая максимуму $Z$, близко коррелирует с той, при которой вершина зоны легких дырок пересекает уровень Ферми. Максимальная найденная величина $ZT$ равняется 1.64. При глубине зоны тяжелых дырок 0.5 эВ наши расчеты хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 25.07.2018
Исправленный вариант: 11.10.2018
Принята в печать: 15.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 419–427
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Дмитриев, “Термоэлектрические характеристики сильно легированного теллурида свинца $p$-типа при разной глубине зоны тяжелых дырок”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 441–449; Semiconductors, 53:4 (2019), 419–427
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dmi19}
\by А.~В.~Дмитриев
\paper Термоэлектрические характеристики сильно легированного теллурида свинца $p$-типа при разной глубине зоны тяжелых дырок
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 441--449
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5530}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47436.8963}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644610 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 419--427
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040079}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5530
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p441
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024