Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 433–436
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47672.9020 (Mi phts5528) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии

В. И. Орловab, Н. А. Ярыкинa, Е. Б. Якимовac

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
PDF полного текста (1348 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47672.9020
Аннотация: Методами тока, индуцированного электронным или оптическим пучками, исследовано изменение рекомбинационных свойств индивидуальных дислокаций и дислокационных следов в кремнии в результате диффузии никеля и меди в процессе химико-механической полировки при комнатной температуре. Обнаружено, что введение никеля приводит к росту рекомбинационной активности как дислокаций, так и дислокационных следов. Введение меди не вызывает существенного изменения контраста протяженных дефектов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-00475-19
Работа выполнена в рамках Государственного задания ИПТМ РАН (№ 075-00475-19) и ИФТТ РАН.
Поступила в редакцию: 13.11.2018
Исправленный вариант: 20.11.2018
Принята в печать: 20.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 411–414
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Орлов, Н. А. Ярыкин, Е. Б. Якимов, “Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 433–436; Semiconductors, 53:4 (2019), 411–414
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlYarYak19}
\by В.~И.~Орлов, Н.~А.~Ярыкин, Е.~Б.~Якимов
\paper Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 433--436
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5528}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47672.9020}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644608}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 411--414
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5528
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p433
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024