Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 718–723
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47570.9032 (Mi phts5526) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge–Te и Ge–As–Te

А. В. Марченкоa, П. П. Серегинa, Е. И. Теруковb, К. Б. Шаховичa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (302 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47570.9032
Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах $^{119mm}$Sn($^{119m}$Sn), $^{119m}$Te($^{119m}$Sn), $^{125}$Sn($^{125}$Te) и $^{125m}$Te($^{125}$Te) продемонстрировано образование антиструктурных дефектов в стеклообразных сплавах Ge$_{20}$Te$_{80}$ и Ge$_{15}$As$_{4}$Te$_{81}$ в виде атомов олова в узлах теллура и атомов теллура в узлах германия. Показано, что изовалентное замещение атомов германия атомами олова не изменяет симметрию локального окружения узлов германия, тогда как атомы олова и теллура в несвойственных для них позициях перестраивают свое локальное окружение.
Поступила в редакцию: 27.11.2018
Исправленный вариант: 03.12.2018
Принята в печать: 10.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 711–716
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050166
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Марченко, П. П. Серегин, Е. И. Теруков, К. Б. Шахович, “Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge–Te и Ge–As–Te”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 718–723; Semiconductors, 53:5 (2019), 711–716
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarSerTer19}
\by А.~В.~Марченко, П.~П.~Серегин, Е.~И.~Теруков, К.~Б.~Шахович
\paper Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge--Te и Ge--As--Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 718--723
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5526}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47570.9032}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644664}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 711--716
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050166}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5526
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p718
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025