Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 706–709
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47568.8995 (Mi phts5524) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (97 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47568.8995
Аннотация: Обсуждаются две различные схемы оценок электронного сродства политипов SiC и их связь с результатами расчетов из первых принципов. Предложены простые поправки к правилам Шокли–Андерсона для построения зонных диаграмм гетеропереходов.
Поступила в редакцию: 08.10.2018
Исправленный вариант: 10.12.2018
Принята в печать: 17.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 699–702
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261905004X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 706–709; Semiconductors, 53:5 (2019), 699–702
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav19}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 706--709
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5524}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47568.8995}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644662}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 699--702
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261905004X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5524
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p706
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024