Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 698–701
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47566.24
(Mi phts5522)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Материалы на основе твердых растворов халькогенидов висмута $n$-типа проводимости, полученные кристаллизацией расплава в жидкости

Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, А. Г. Мальчев, И. Ю. Нихезина, М. В. Емельянов, Д. С. Никулин

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация: Исследованы микроструктура, механические и термоэлектрические свойства образцов твердого раствора Bi$_{2}$Te$_3$–Bi$_{2}$Se$_{3}$ $n$-типа проводимости, содержащих 6, 8 и 10 мол% Bi$_{2}$Se$_{3}$, легированные иодидом сурьмы, хлоридом кадмия и гексабромбензолом, полученные горячим прессованием и экструзией гранул, приготовленных кристаллизацией расплава в жидкости и измельченных в ступке, ножевой и планетарной мельницах. Измерения проводили при комнатной температуре и в интервале 100–600 K. Найдены условия получения и составы материалов с пределом прочности $\sim$250 МПа при деформации сжатием и термоэлектрической добротностью $(ZT)_{\operatorname{max}}$ = (0.9–1.0) в интервале температур 320–430 K.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 007-00129-18-00
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-00033а
Работа выполнена по государственному заданию № 007-00129-18-00 и при финансовой поддержке РФФИ проект № 16-08-00033а.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 691–694
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050087
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, А. Г. Мальчев, И. Ю. Нихезина, М. В. Емельянов, Д. С. Никулин, “Материалы на основе твердых растворов халькогенидов висмута $n$-типа проводимости, полученные кристаллизацией расплава в жидкости”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 698–701; Semiconductors, 53:5 (2019), 691–694
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaGraMal19}
\by Л.~Д.~Иванова, Ю.~В.~Гранаткина, А.~Г.~Мальчев, И.~Ю.~Нихезина, М.~В.~Емельянов, Д.~С.~Никулин
\paper Материалы на основе твердых растворов халькогенидов висмута $n$-типа проводимости, полученные кристаллизацией расплава в жидкости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 698--701
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5522}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47566.24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644660}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 691--694
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050087}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5522
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p698
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024