Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 689–692
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47564.22
(Mi phts5520)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Высокоэффективный термоэлектрический однофотонный детектор на основе гексаборидов лантана и церия

А. С. Кузанянa, А. А. Кузанянa, В. Н. Гуринb, М. П. Волковb, В. Р. Никогосянa

a Институт физических исследований НАН Армении, Аштарак, Армения
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Предлагается конструкция высокоэффективного однофотонного детектора на основе гексаборидов лантана и церия, работающего в диапазоне от инфракрасного до ультрафиолетового излучений. Приводятся данные компьютерного моделирования процессов распространения тепла в чувствительном элементе детектора после поглощения фотонов с энергией 0.5–4.13 эВ. Для достижения высокой системной эффективности детектирования фотонов в области длин волн от ближнего инфракрасного до ультрафиолетового диапазона в конструкции чувствительного элемента в качестве поглотителя и для теплоотвода предлагается использовать гексаборид лантана. Показано, что изготовленный только из гексаборидов чувствительный элемент, как однослойной, так и трехслойной конструкции, будет иметь гигагерцовую скорость счета и превышающую 90% эффективность детектирования.
Финансовая поддержка Номер гранта
Государственный комитет по науке министерства образования и науки Республики Армения 18T-2F134
Исследование выполнено при финансовой поддержке Государственного комитета по науке МОН РА в рамках научного проекта № 18T-2F134.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 682–685
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050130
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кузанян, А. А. Кузанян, В. Н. Гурин, М. П. Волков, В. Р. Никогосян, “Высокоэффективный термоэлектрический однофотонный детектор на основе гексаборидов лантана и церия”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 689–692; Semiconductors, 53:5 (2019), 682–685
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzKuzGur19}
\by А.~С.~Кузанян, А.~А.~Кузанян, В.~Н.~Гурин, М.~П.~Волков, В.~Р.~Никогосян
\paper Высокоэффективный термоэлектрический однофотонный детектор на основе гексаборидов лантана и церия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 689--692
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5520}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47564.22}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644658}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 682--685
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050130}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5520
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p689
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024