Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 669–673
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47560.18 (Mi phts5516) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Миниатюрный датчик теплового потока на основе микропровода Bi–Sn в стеклянной изоляции

Л. А. Конопкоa, А. А. Николаеваa, Т. Е. Хуберb, А. К. Кобылянскаяa

a Институт электронной инженерии и нанотехнологий им. Д. Гицу, Кишинев, Молдавия
b Химический факультет, Ховард Университет, Вашингтон, США
PDF полного текста (477 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47560.18
Аннотация: Рассматривается термоэлектрическое преобразование энергии, основанное на одном элементе, изготовленном из анизотропного материала. В таких материалах тепловой поток генерирует поперечное ему электрическое поле. Мы изготовили экспериментальный образец датчика теплового потока, состоящего из 10-метрового отрезка монокристаллического микропровода висмута, допированного оловом, в стеклянной изоляции (внешний диаметр $D$ = 18 мкм, диаметр микропроводоа $d$ = 4 мкм). Микропровод был намотан в плоскую спираль после перекристаллизации в сильном электрическом поле, в процессе которой главная кристаллографическая ось $C_{3}$ была ориентирована под оптимальным углом относительно оси микропровода. Чувствительность датчика достигла 10$^{-2}$ В/Вт с постоянной времени $\tau\approx$ 0.2 с. Технология изготовления датчиков довольно проста и надежна для использования в промышленном производстве.
Финансовая поддержка Номер гранта
Interdisciplinary and Empirical Ethics network (IEEN) 15.817.02.09A
National Science Foundation 1231319
Boeing company
Keck Foundation
Эта работа поддержана проектом IIEN 15.817.02.09A, Национальным научным фондом по гранту STC CIQM 1231319, компанией Boeing и Фондом Кека.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 662–666
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050117
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. А. Конопко, А. А. Николаева, Т. Е. Хубер, А. К. Кобылянская, “Миниатюрный датчик теплового потока на основе микропровода Bi–Sn в стеклянной изоляции”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 669–673; Semiconductors, 53:5 (2019), 662–666
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonNikHub19}
\by Л.~А.~Конопко, А.~А.~Николаева, Т.~Е.~Хубер, А.~К.~Кобылянская
\paper Миниатюрный датчик теплового потока на основе микропровода Bi--Sn в стеклянной изоляции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 669--673
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5516}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47560.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644654}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 662--666
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050117}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5516
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p669
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024