Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 659–663
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47558.16
(Mi phts5514)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Материалы на основе твердых растворов теллуридов висмута и сурьмы, полученные методами быстрой кристаллизации расплава

Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, А. Г. Мальчев, И. Ю. Нихезина, М. В. Емельянов

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН
Аннотация: Исследованы твердые растворы Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ $p$-типа проводимости, полученные горячим прессованием и экструзией порошков, приготовленных методами быстрой кристаллизации расплава: спиннингованием расплава и кристаллизацией расплава в жидкости. Морфология порошков, поверхности скола образцов и их микроструктура изучены с помощью оптической, сканирующей электронной и туннельной микроскопии. Механические свойства образцов исследованы при деформации сжатием при комнатной температуре. Коэффициент Зеебека, электропроводность и теплопроводность материалов измерены в интервале температур 100–600 K. Для материалов, экструдированных из гранул, полученных кристаллизацией расплава в воде и измельченных в планетарной мельнице, получена наибольшая величина предела прочности на сжатие $\sigma_{\mathrm{B}}$ = 145 МПа при 300 K и максимальная термоэлектрическая добротность $(ZT)_{\operatorname{max}}$ = 1.34 при 370 K.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 007-00129-18-00
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-00033а
Работа выполнена по государственному заданию № 007-00129-18-00 и при финансовой поддержке РФФИ, проект № 16-08-00033а.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 652–656
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, А. Г. Мальчев, И. Ю. Нихезина, М. В. Емельянов, “Материалы на основе твердых растворов теллуридов висмута и сурьмы, полученные методами быстрой кристаллизации расплава”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 659–663; Semiconductors, 53:5 (2019), 652–656
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaGraMal19}
\by Л.~Д.~Иванова, Ю.~В.~Гранаткина, А.~Г.~Мальчев, И.~Ю.~Нихезина, М.~В.~Емельянов
\paper Материалы на основе твердых растворов теллуридов висмута и сурьмы, полученные методами быстрой кристаллизации расплава
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 659--663
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5514}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47558.16}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644652}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 652--656
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5514
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p659
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024