Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 635–639
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47553.11
(Mi phts5509)
 

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Безразмерная математическая модель термоэлектрического охладителя: режим $\Delta T_{\operatorname{max}}$

А. А. Мельниковa, О. М. Тарасовb, А. В. Чековb, М. А. Башкинc

a Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов, г. Москва
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c АО НПО "Орион", Москва, Россия
Аннотация: Тепловые сопротивления на холодной и горячей стороне оказывают существенное влияние на выходные характеристики термоэлектрических устройств. В работе представлена безразмерная математическая модель термоэлектрического охладителя, позволяющая рассчитывать параметры устройств, такие как оптимальное отношение тепловых сопротивлений на холодной и горячей стороне и оптимальный ток с учетом влияния тепловых сопротивлений. Рассмотрен режим максимального перепада температур $\Delta T_{\operatorname{max}}$. Показано, что оптимальные параметры охладителя для реализации режима $\Delta T_{\operatorname{max}}$ и $Q_{\operatorname{max}}$ отличаются. Для режима $\Delta T_{\operatorname{max}}$ определяющим является влияние теплового сопротивления на горячей стороне, величина оптимального тока в большинстве случаев составляет 0.4–0.7 от максимального для материала при $ZT$ = 1. Показано, что при снижении теплопроводности термоэлектрического материала достигается дополнительное увеличение $\Delta T_{\operatorname{max}}$ охладителя за счет снижения влияния теплового сопротивления на горячей стороне, помимо эффекта от увеличения $ZT$. Аналогичный положительный эффект увеличения $\Delta T_{\operatorname{max}}$ охладителя имеет увеличение высоты ветвей, снижение высоты ветвей сказывается на $\Delta T_{\operatorname{max}}$ отрицательно.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 25.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 628–632
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Мельников, О. М. Тарасов, А. В. Чеков, М. А. Башкин, “Безразмерная математическая модель термоэлектрического охладителя: режим $\Delta T_{\operatorname{max}}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 635–639; Semiconductors, 53:5 (2019), 628–632
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MelTarChe19}
\by А.~А.~Мельников, О.~М.~Тарасов, А.~В.~Чеков, М.~А.~Башкин
\paper Безразмерная математическая модель термоэлектрического охладителя: режим $\Delta T_{\operatorname{max}}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 635--639
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5509}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47553.11}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644647}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 628--632
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050178}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5509
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p635
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024