О зонной структуре Bi$_{2}$Te$_{3}$

На кристаллах $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$, выращенных методом Чохральского, измерены температурные зависимости электропроводности, коэффициентов Холла, термоэдс и поперечного эффекта Нернста–Эттингсгаузена в интервале температур 77–450 K и спектр пропускания в диапазоне 400–5250 см$^{-1}$ при комнатной температуре. Показано, что для объяснения температурных зависимостей параметра рассеяния и отношения термоэдс к температуре необходимо учитывать сложное строение валентной зоны и вклад тяжелых дырок в явления переноса. Сделанные оценки зонных параметров в рамках двухзонной модели дают значения эффективной массы дырок порядка массы свободного электрона и энергетического зазора между неэквивалентными экстремумами порядка нескольких сотых эВ. На спектре поглощения, полученном из пропускания, в диапазоне частот $\nu\ge$ 1000 см$^{-1}$ наблюдается резкий подъем поглощения, обусловленный непрямыми межзонными переходами с запрещенной зоной $E_{g}\approx$ 0.14 эВ. Спектр поглощения, рассчитанный из данных по отражению с помощью соотношений Крамерса–Кронига, находится в согласии с измеренным.