Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 597–603
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47545.03
(Mi phts5501)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Эффекты Холла и Зеебека в тонких пленках висмута на подложке из слюды в диапазоне температур 77–300 K

В. А. Комаров, В. М. Грабов, А. В. Суслов, Н. С. Каблукова, М. В. Суслов

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
Аннотация: На основе экспериментальных результатов исследования эффектов Холла и Зеебека пленок висмута на подложке из слюды проведен анализ влияния толщины пленок и размеров блоков на величину коэффициентов Холла и Зеебека. Выявлено преимущественное уменьшение вклада электронов при уменьшении толщины пленок и преимущественное уменьшение вклада дырок при уменьшении размера блоков. В рамках классического размерного эффекта с учетом рассеяния на границах блоков и анизотропии свойств носителей заряда проведен расчет коэффициентов Холла и Зеебека. При расчете использовались значения компонент подвижностей электронов и дырок и их концентрация в монокристалле висмута, а также учитывалась кристаллографическая ориентация пленочного кристалла. Результаты расчетов хорошо совпадают с экспериментальными результатами. Сделан вывод о том, что величина и знак коэффициентов Холла и Зеебека в пленках висмута определяются конкурирующим влиянием классического размерного эффекта и рассеяния на границах блоков.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.4856.2017/8.9
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (в рамках государственного задания, проект № 3.4856.2017/8.9).
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 593–598
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050105
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Комаров, В. М. Грабов, А. В. Суслов, Н. С. Каблукова, М. В. Суслов, “Эффекты Холла и Зеебека в тонких пленках висмута на подложке из слюды в диапазоне температур 77–300 K”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 597–603; Semiconductors, 53:5 (2019), 593–598
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KomGraSus19}
\by В.~А.~Комаров, В.~М.~Грабов, А.~В.~Суслов, Н.~С.~Каблукова, М.~В.~Суслов
\paper Эффекты Холла и Зеебека в тонких пленках висмута на подложке из слюды в диапазоне температур 77--300 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 597--603
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5501}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47545.03}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644639}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 593--598
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050105}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5501
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p597
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024