Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 850–855
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47741.8983
(Mi phts5495)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя $p$$n$-перехода

А. С. Шашкинаa, С. Д. Ханинb

a Санкт-Петербургский государственный институт кино и телевидения
b Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование лавинного пробоя $p$$n$-перехода с целью изучения временного распределения микроплазменных импульсов. Выявлено, что наблюдаемый вид микроплазменного шума не описывается существующей моделью процессов, происходящих при лавинном пробое $p$$n$-перехода. С помощью имитационного моделирования была разработана компьютерная модель, проясняющая механизмы неустойчивости микроплазмы и учитывающая электрические и температурные зависимости лавинного пробоя, которая согласуется с результатами экспериментов.
Поступила в редакцию: 29.10.2018
Исправленный вариант: 25.01.2019
Принята в печать: 30.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 838–843
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Шашкина, С. Д. Ханин, “Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя $p$$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 850–855; Semiconductors, 53:6 (2019), 838–843
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaKha19}
\by А.~С.~Шашкина, С.~Д.~Ханин
\paper Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя $p$--$n$-перехода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 850--855
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5495}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47741.8983}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133302}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 838--843
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5495
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p850
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024