|
Физика полупроводниковых приборов
Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя
А. Г. Банщиковa, Ю. Ю. Илларионовab, М. И. Векслерa, S. Wachterb, Н. С. Соколовa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Технический университет гор. Вены, Вена, Австрия
Аннотация:
Проведено сравнение токов, протекающих в структурах металл/CaF$_{2}$/$n$-Si и металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/$n$-Si с одинаковой (около 1.5 нм) толщиной фторида в режиме обратного смещения. Показано, что в некотором диапазоне напряжений ток через двухслойную систему может оказаться заметно больше по величине. Такое несколько неожиданное поведение связывается с сосуществованием электронной и дырочной компонент тока, а также с особенностями формы SiO$_{2}$/CaF$_2$-барьера, через который происходит туннелирование. Представлены результаты измерений и поясняющие расчетные данные.
Поступила в редакцию: 10.01.2019 Исправленный вариант: 18.01.2019 Принята в печать: 18.01.2019
Образец цитирования:
А. Г. Банщиков, Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, S. Wachter, Н. С. Соколов, “Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 844–849; Semiconductors, 53:6 (2019), 833–837
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5494 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p844
|
|