Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя

Проведено сравнение токов, протекающих в структурах металл/CaF$_{2}$/$n$-Si и металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/$n$-Si с одинаковой (около 1.5 нм) толщиной фторида в режиме обратного смещения. Показано, что в некотором диапазоне напряжений ток через двухслойную систему может оказаться заметно больше по величине. Такое несколько неожиданное поведение связывается с сосуществованием электронной и дырочной компонент тока, а также с особенностями формы SiO$_{2}$/CaF$_2$-барьера, через который происходит туннелирование. Представлены результаты измерений и поясняющие расчетные данные.