Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 829–831
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47737.9059 (Mi phts5491) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Правила Урбаха в монокристаллах MnGa$_{2}$Sе$_{4}$ при оптических поглощениях

Н. Н. Нифтиев

Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
PDF полного текста (90 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47737.9059
Аннотация: Исследовано правило Урбаха в монокристаллах MnGa$_{2}$Sе$_{4}$ и установлено, что в области энергии фотонов 2.1–2.2 эВ длинноволновый хвост поглощения подчиняется правилу Урбаха. Показано, что в монокристаллах MnGa$_{2}$Sе$_{4}$ существует сильное электрон-фононное взаимодействие.
Поступила в редакцию: 09.01.2019
Исправленный вариант: 31.01.2019
Принята в печать: 31.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 819–821
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060137
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Нифтиев, “Правила Урбаха в монокристаллах MnGa$_{2}$Sе$_{4}$ при оптических поглощениях”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 829–831; Semiconductors, 53:6 (2019), 819–821
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Nif19}
\by Н.~Н.~Нифтиев
\paper Правила Урбаха в монокристаллах MnGa$_{2}$Sе$_{4}$ при оптических поглощениях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 829--831
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5491}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47737.9059}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133298}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 819--821
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060137}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5491
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p829
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024