Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 824–828
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47736.9042 (Mi phts5490) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$

К. А. Дроздовa, И. В. Крыловa, А. С. Чижовb, М. Н. Румянцеваb, Л. И. Рябоваb, Д. Р. Хохловa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
PDF полного текста (544 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47736.9042
Аннотация: Внедрение в пористую матрицу ZnO нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ приводит к появлению положительного отклика фотопроводимости в видимом спектральном диапазоне. Измерение спектральных зависимостей поглощения, фотолюминесценции и фотопроводимости пoказало, что форма и положение пика фотолюминесценции связаны с дефектами в CsPbBr$_{3}$. Анализ кинетики релаксации фотопроводимости показывает возможность ускорения процесса рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда более чем на порядок. Обсуждаются механизмы, ответственные за эффект.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10071
Российский фонд фундаментальных исследований 18-33-01004
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 16-12-10071. Синтез нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ выполнен при поддержке гранта РФФИ № 18-33-01004.
Поступила в редакцию: 10.12.2018
Исправленный вариант: 18.12.2018
Принята в печать: 18.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 814–818
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060058
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Дроздов, И. В. Крылов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 824–828; Semiconductors, 53:6 (2019), 814–818
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroKryChi19}
\by К.~А.~Дроздов, И.~В.~Крылов, А.~С.~Чижов, М.~Н.~Румянцева, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 824--828
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5490}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47736.9042}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133297}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 814--818
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060058}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5490
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p824
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024