Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации

С применением метода in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследован процесс зарождения вакансионных островков на широких террасах поверхности Si(100). Определена температурная зависимость смещения центра зарождения вакансионного островка при нагреве образца постоянным электрическим током. На основе теоретической модели проведена оценка эффективного электрического заряда аддимеров в направлении поперек димерных рядов атомов поверхности. Эффективный заряд имеет положительный знак и не превышает 15 единиц элементарного заряда в температурном интервале 1020–1120$^\circ$С.