Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 784–788
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47729.38
(Mi phts5483)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Структура и термоэлектрические свойства пленочных композитов на основе CoSi

В. С. Кузнецоваa, С. В. Новиковa, Ч. К. Ниченаметлаb, И. Кальвоb, М. Вагнер-Ритцb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт Фраунгофера фотоники микросистем – Центр технологий наноэлектроники, Германия, Дрезден,
Аннотация: Изучаются свойства тонких пленок Co–Si, полученных методом термического спекания слоев Co и Si. Слои Co и Si были получены методом химического осаждения паров. Для образования силицида кобальта полученная двухслойная структура отжигалась при температуре 760 K в течение 12 ч. Термоэлектрические свойства пленочных структуру были исследованы в интервале температур 300–800 K. Температурные зависимости термоэдс (thermopower) и удельного сопротивления, а также структурные данные указывают на образование многослойной структуры, содержащей слои с избытком кремния и кобальта.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 775–779
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060101
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. С. Кузнецова, С. В. Новиков, Ч. К. Ниченаметла, И. Кальво, М. Вагнер-Ритц, “Структура и термоэлектрические свойства пленочных композитов на основе CoSi”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 784–788; Semiconductors, 53:6 (2019), 775–779
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzNovNic19}
\by В.~С.~Кузнецова, С.~В.~Новиков, Ч.~К.~Ниченаметла, И.~Кальво, М.~Вагнер-Ритц
\paper Структура и термоэлектрические свойства пленочных композитов на основе CoSi
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 784--788
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5483}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47729.38}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133290}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 775--779
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060101}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5483
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p784
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024