Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 781–783
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47728.37 (Mi phts5482) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Моделирование процесса усадки термоэлектриков при искровом плазменном спекании на примере Ge–Si

А. С. Тукмакова, К. Л. Самусевич, А. В. Новотельнова, И. Л. Тхоржевский, Е. С. Макарова

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (89 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47728.37
Аннотация: Проведено моделирование усадки термоэлектрического материала на основе Ge–Si $p$-типа в процессе искрового плазменного спекания. Моделирование выполнено методом конечных элементов в программе Comsol Multiphysics. Модель механических процессов была основана на результатах ранее опубликованных работ, посвященных моделированию спекания порошковых металлических материалов и керамик. Описание механических процессов включало упругую и пластическую деформацию обрабатываемого материала. В процессе расчета учитывалось влияние пористости материала на тепловые, электрические и механические свойства. Проведен расчет давления спекания в образце. Рассчитано изменение диаметра образца при выдержке при максимальной температуре.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-38-00371
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 18-38-00371.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 772–774
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060289
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Тукмакова, К. Л. Самусевич, А. В. Новотельнова, И. Л. Тхоржевский, Е. С. Макарова, “Моделирование процесса усадки термоэлектриков при искровом плазменном спекании на примере Ge–Si”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 781–783; Semiconductors, 53:6 (2019), 772–774
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TukSamNov19}
\by А.~С.~Тукмакова, К.~Л.~Самусевич, А.~В.~Новотельнова, И.~Л.~Тхоржевский, Е.~С.~Макарова
\paper Моделирование процесса усадки термоэлектриков при искровом плазменном спекании на примере Ge--Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 781--783
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5482}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47728.37}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133289}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 772--774
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060289}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5482
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p781
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024