|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.
Моделирование процесса усадки термоэлектриков при искровом плазменном спекании на примере Ge–Si
А. С. Тукмакова, К. Л. Самусевич, А. В. Новотельнова, И. Л. Тхоржевский, Е. С. Макарова Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Проведено моделирование усадки термоэлектрического материала на основе Ge–Si $p$-типа в процессе искрового плазменного спекания. Моделирование выполнено методом конечных элементов в программе Comsol Multiphysics. Модель механических процессов была основана на результатах ранее опубликованных работ, посвященных моделированию спекания порошковых металлических материалов и керамик. Описание механических процессов включало упругую и пластическую деформацию обрабатываемого материала. В процессе расчета учитывалось влияние пористости материала на тепловые, электрические и механические свойства. Проведен расчет давления спекания в образце. Рассчитано изменение диаметра образца при выдержке при максимальной температуре.
Поступила в редакцию: 07.02.2019 Исправленный вариант: 10.02.2019 Принята в печать: 14.02.2019
Образец цитирования:
А. С. Тукмакова, К. Л. Самусевич, А. В. Новотельнова, И. Л. Тхоржевский, Е. С. Макарова, “Моделирование процесса усадки термоэлектриков при искровом плазменном спекании на примере Ge–Si”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 781–783; Semiconductors, 53:6 (2019), 772–774
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5482 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p781
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 7 |
|