Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 756–760
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47722.31
(Mi phts5476)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Радиационные термоэлементы на основе теллурида висмута, получаемые методом импульсного лазерного осаждения

А. Е. Шупеневa, И. С. Коршуновa, А. С. Ильинb, А. С. Осипковa, А. Г. Григорьянцa

a Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
b Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, г. Москва
Аннотация: Радиационные термоэлементы являются структурной единицей сенсоров, используемых при измерении энергетических параметров различного излучения в диапазоне длин волн от 0.1 до 100 мкм. В настоящей работе исследуется вопрос перспективности использования пленок $p$-Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ и $n$-Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ в радиационных термоэлементах на различных подложках, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Теплофизический расчет и экспериментальные исследования опытных образцов показали, что с использованием полиимидных подложек можно обеспечить коэффициент преобразования около 1 В/Вт для приемной площадки диаметром 16 мм, при этом постоянная времени составит около 10 с.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 747–751
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060204
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Шупенев, И. С. Коршунов, А. С. Ильин, А. С. Осипков, А. Г. Григорьянц, “Радиационные термоэлементы на основе теллурида висмута, получаемые методом импульсного лазерного осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 756–760; Semiconductors, 53:6 (2019), 747–751
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShuKorIli19}
\by А.~Е.~Шупенев, И.~С.~Коршунов, А.~С.~Ильин, А.~С.~Осипков, А.~Г.~Григорьянц
\paper Радиационные термоэлементы на основе теллурида висмута, получаемые методом импульсного лазерного осаждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 756--760
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5476}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47722.31}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133283}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 747--751
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060204}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5476
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p756
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024