Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 995–1005
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47880.8973
(Mi phts5468)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния

Л. К. Орловab, Н. Л. Ивинаc, В. А. Боженкинd

a Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
c Кафедра информатики и информационных технологий Нижегородского института управления РАНХ и ГС, Нижний Новгород, Россия
d Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация: Представлены данные по зависимости скорости роста слоев Si, осаждаемых гидридным методом на Ge(111), от их толщины на начальной стадии гетероэпитаксии. Показано влияние подложки Ge в пределах 10 наращиваемых кремниевых монослоев на скорость роста пленки Si. На основании полученных данных проведен расчет кинетических коэффициентов, ответственных за скорости протекания основных физико-химических процессов, связанных с взаимодействием молекулярных пучков гидридов с ростовой поверхностью. Анализ вероятности захвата и скоростей пиролиза адсорбируемых молекул гидрида Si (Ge) на чистых поверхностях Ge (Si) показал зависимость их поведения от толщины наращиваемого слоя. Из сопоставления полученных при росте слоя Si на Ge результатов обнаружено, что чистая поверхность германия по отношению к молекулам силана обладает более высокими адсорбционной и каталитической способностями, чем чистая поверхность Si. По отношению к молекулам гидридов Ge более высокими адсорбционными и каталитическими характеристиками обладает чистая поверхность ненапряженного кремния.
Ключевые слова: кремний, германий, гетероэпитаксия, начальная стадия роста, поверхность, гидриды, пиролиз, кинетика распада.
Поступила в редакцию: 20.08.2018
Исправленный вариант: 03.12.2018
Принята в печать: 25.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 979–988
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070182
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина, В. А. Боженкин, “Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 995–1005; Semiconductors, 53:7 (2019), 979–988
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlIviBoz19}
\by Л.~К.~Орлов, Н.~Л.~Ивина, В.~А.~Боженкин
\paper Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 995--1005
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5468}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47880.8973}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133329}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 979--988
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070182}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5468
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p995
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024