|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния
Л. К. Орловab, Н. Л. Ивинаc, В. А. Боженкинd a Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
c Кафедра информатики и информационных технологий
Нижегородского института управления РАНХ и ГС, Нижний Новгород, Россия
d Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Представлены данные по зависимости скорости роста слоев Si, осаждаемых гидридным методом на Ge(111), от их толщины на начальной стадии гетероэпитаксии. Показано влияние подложки Ge в пределах 10 наращиваемых кремниевых монослоев на скорость роста пленки Si. На основании полученных данных проведен расчет кинетических коэффициентов, ответственных за скорости протекания основных физико-химических процессов, связанных с взаимодействием молекулярных пучков гидридов с ростовой поверхностью. Анализ вероятности захвата и скоростей пиролиза адсорбируемых молекул гидрида Si (Ge) на чистых поверхностях Ge (Si) показал зависимость их поведения от толщины наращиваемого слоя. Из сопоставления полученных при росте слоя Si на Ge результатов обнаружено, что чистая поверхность германия по отношению к молекулам силана обладает более высокими адсорбционной и каталитической способностями, чем чистая поверхность Si. По отношению к молекулам гидридов Ge более высокими адсорбционными и каталитическими характеристиками обладает чистая поверхность ненапряженного кремния.
Ключевые слова:
кремний, германий, гетероэпитаксия, начальная стадия роста, поверхность, гидриды, пиролиз, кинетика распада.
Поступила в редакцию: 20.08.2018 Исправленный вариант: 03.12.2018 Принята в печать: 25.12.2018
Образец цитирования:
Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина, В. А. Боженкин, “Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 995–1005; Semiconductors, 53:7 (2019), 979–988
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5468 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p995
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 38 |
|