|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория
А. С. Кюрегян ПАО НПО "Электромодуль", Москва, Россия
Аннотация:
Получены приближенные аналитические формулы, позволяющие оценить основные параметры диффузионных диодов с резким восстановлением, при работе в качестве прерывателей тока в мощных генераторах наносекундных импульсов с промежуточным индуктивным накопителем энергии: напряжение паразитного предымпульса, характеризующее резистивные потери в диффузионных диодах с резким восстановлением, амплитуду, длительность фронта, максимальную скорость нарастания напряжения и длительность импульса, формируемого на активной нагрузке. Для сравнения приводятся аналогичные формулы для эпитаксиальных диодов с резким восстановлением, частично полученные впервые, а частично уточняющие ранние результаты.
Ключевые слова:
прерыватели тока, диоды с резким восстановлением, аналитическая теория, параметры формируемых импульсов.
Поступила в редакцию: 27.12.2018 Исправленный вариант: 18.01.2019 Принята в печать: 29.01.2019
Образец цитирования:
А. С. Кюрегян, “Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 985–990; Semiconductors, 53:7 (2019), 969–974
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5466 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p985
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 16 |
|