Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 985–990
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47878.9056 (Mi phts5466) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория

А. С. Кюрегян

ПАО НПО "Электромодуль", Москва, Россия
PDF полного текста (229 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47878.9056
Аннотация: Получены приближенные аналитические формулы, позволяющие оценить основные параметры диффузионных диодов с резким восстановлением, при работе в качестве прерывателей тока в мощных генераторах наносекундных импульсов с промежуточным индуктивным накопителем энергии: напряжение паразитного предымпульса, характеризующее резистивные потери в диффузионных диодах с резким восстановлением, амплитуду, длительность фронта, максимальную скорость нарастания напряжения и длительность импульса, формируемого на активной нагрузке. Для сравнения приводятся аналогичные формулы для эпитаксиальных диодов с резким восстановлением, частично полученные впервые, а частично уточняющие ранние результаты.
Ключевые слова: прерыватели тока, диоды с резким восстановлением, аналитическая теория, параметры формируемых импульсов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-01292
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 16-08-01292).
Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 18.01.2019
Принята в печать: 29.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 969–974
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070157
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кюрегян, “Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 985–990; Semiconductors, 53:7 (2019), 969–974
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kyu19}
\by А.~С.~Кюрегян
\paper Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II.~Теория
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 985--990
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5466}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47878.9056}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133327}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 969--974
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070157}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5466
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p985
    Цикл статей
    Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024