Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 978–984
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47877.9055
(Mi phts5465)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. I. Численное моделирование

А. С. Кюрегян

ПАО НПО "Электромодуль", Москва, Россия
Аннотация: Методами имитационного компьютерного моделирования впервые детально исследована работа диффузионных диодов с резким восстановлением в качестве прерывателей тока в мощных генераторах наносекундных импульсов. Указано одно из необходимых условий, минимизирующих потери в диффузионных диодах с резким восстановлением. Получены зависимости напряжения предимпульса, длительности фронта, амплитуды, длительности импульса, формируемого на активной нагрузке, и энергии коммутационных потерь в диффузионных диодах с резким восстановлением от площади прибора и плотности обрываемого тока. Показано, что результаты моделирования описываются полученными во второй части работы простыми аналитическими формулами с точностью 10–20%, если амплитуда импульса не превосходит напряжение лавинного пробоя диффузионных диодах с резким восстановлением. Предложен обобщенный показатель качества диффузионных диодов с резким восстановлением, который можно использовать для оптимизации его параметров, режима работы и сравнения эффективности прерывателей тока различных типов.
Ключевые слова: прерыватели тока, диффузионные диоды с резким восстановлением, компьютерное моделирование, показатель качества.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-01292
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 16-08-01292).
Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 18.01.2019
Принята в печать: 29.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 962–968
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кюрегян, “Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. I. Численное моделирование”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 978–984; Semiconductors, 53:7 (2019), 962–968
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kyu19}
\by А.~С.~Кюрегян
\paper Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. I.~Численное моделирование
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 978--984
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5465}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47877.9055}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133326}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 962--968
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5465
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p978
    Цикл статей
    Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024