Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 971–977
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47876.9036 (Mi phts5464) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Углеродные системы

Эпитаксиальный карбин: аналитические результаты

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (173 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47876.9036
Аннотация: Методом функций Грина в приближении сильной связи получены аналитические выражения для электронных спектров и плотностей состояний двух структурных модификаций карбина (кумулена и полиина). В качестве подложек рассмотрены металл и полупроводник, приведены соответствующие оценки перехода заряда. С учетом внутри- и межатомного кулоновского отталкивания получены критерии появления волны зарядовой плотности в свободном и эпитаксиальном карбине. Приведены аналитические выражения для фононного спектра свободного карбина. Полученные результаты сопоставлены с результатами численных расчетов других авторов.
Ключевые слова: карбин, кулоновское взаимодействие, металлическая и полупроводниковая подложки, переход заряда.
Поступила в редакцию: 03.12.2018
Исправленный вариант: 28.02.2019
Принята в печать: 28.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 954–961
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070078
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Эпитаксиальный карбин: аналитические результаты”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 971–977; Semiconductors, 53:7 (2019), 954–961
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav19}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Эпитаксиальный карбин: аналитические результаты
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 971--977
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5464}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47876.9036}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133325}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 954--961
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070078}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5464
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p971
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024