Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 964–970
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47875.8927
(Mi phts5463)
 

Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование

И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников

Тверской государственный университет
Аннотация: Размерная зависимость температуры плавления наночастиц Si исследовалась с использованием как молекулярно-динамического, так и термодинамического моделирования, основывающегося на применении формулы Томсона. Результаты атомистического моделирования, полученные с использованием потенциала Стиллинджера-Вебера, согласуются с результатами других авторов, а также с результатами термодинамического моделирования и предсказывают уменьшение температуры плавления $T_{m}$ наночастиц Si с увеличением их обратного радиуса $R^{-1}$ по линейному закону. Имеющиеся экспериментальные данные предсказывают более низкие значения $T_{m}$, включая предельное значение $T_{m}^{(\infty)}$, отвечающее линейной экстраполяции экспериментальных точек к $R^{-1}\to0$ (т. е. к радиусу $R\to\infty$), причем занижение составляет 200–300 K по сравнению с табличным значением температуры плавления кремния (1688 K). Учитывая это, сделан вывод о том, что молекулярно-динамические результаты для $T_{m}(R^{-1})$, полученные с использованием потенциала Стиллинджера–Вебера, являются более адекватными, чем имеющиеся экспериментальные данные.
Ключевые слова: нанокремний, температура плавления, размерная зависимость, молекулярная динамика, термическое моделирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-43-690001
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.5506.2017/БЧ
Работа выполнена в Тверском государственном университете при финансовой поддержке РФФИ (грант № 18-43-690001) и Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках выполнения государственного задания в сфере научной деятельности (проект № 3.5506.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 05.06.2018
Исправленный вариант: 27.02.2019
Принята в печать: 28.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 947–953
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников, “Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 964–970; Semiconductors, 53:7 (2019), 947–953
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TalSamSam19}
\by И.~В.~Талызин, М.~В.~Самсонов, В.~М.~Самсонов, М.~Ю.~Пушкарь, В.~В.~Дронников
\paper Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 964--970
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5463}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47875.8927}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133324}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 947--953
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5463
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p964
  • Эта публикация цитируется в следующих 19 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024