Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 953–957
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47873.9007
(Mi phts5461)
 

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Зависимость проводимости слоев пористого кремния от направления переноса носителей заряда

Е. А. Гусева, Е. А. Форш

Московский государственный автомобильно-дорожный институт (технический университет)
Аннотация: Представлено исследование механизмов переноса носителей заряда в слоях мезопористого кремния для случаев переноса вдоль поверхности слоя (перпендикулярно кремниевым колоннам) и перпендикулярно поверхности слоя (вдоль кремниевых колонн). Установлено, что проводимость, измеряемая вдоль поверхности слоя, значительно ниже проводимости, измеряемой перпендикулярно поверхности. Из анализа температурных и частотных зависимостей проводимости сделан вывод о различных механизмах переноса носителей заряда в рассматриваемых случаях (вдоль и перпендикулярно поверхности).
Ключевые слова: наноструктурированный кремний, потенциальные барьеры, механизм переноса носителй заряда, температурные зависимости проводимости, частотные зависимости проводимости.
Поступила в редакцию: 18.10.2018
Исправленный вариант: 28.02.2019
Принята в печать: 05.03.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Гусева, Е. А. Форш, “Зависимость проводимости слоев пористого кремния от направления переноса носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 953–957
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusFor19}
\by Е.~А.~Гусева, Е.~А.~Форш
\paper Зависимость проводимости слоев пористого кремния от направления переноса носителей заряда
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 953--957
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5461}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47873.9007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133322}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5461
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p953
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024