Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 935–939
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47870.9087
(Mi phts5458)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины

С. М. Подгорныхab, М. В. Якунинab, С. С. Криштопенкоc, М. Р. Поповa, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и магнитосопротивления двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины в диапазоне температур $T$ = 35–300 K в магнитных полях до 9 Тл. Положение обнаруженного ранее в квантовом эффекте Холла возвратного перехода с плато $i$ = 1 на плато $i$ = 2 при возрастании магнитного поля близко к полю перехода от легких к тяжелым дыркам в режиме классического эффекта Холла. Найдено, что при $T\ge$ 35 K вместе с легкими и тяжелыми дырками в эффекте Холла появляются термоактивированные легкие электроны. По температурной зависимости концентрации электронов оценена энергия активации электронов – 28 мэВ, что превышает рассчитанное расстояние от бокового максимума валентной подзоны до края ближайшей подзоны проводимости, вероятно, из-за асимметрии гетероструктуры.
Ключевые слова: эффект Холла, магнитосопротивление, квантовая яма.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А18-118020190098-5
Уральское отделение Российской академии наук 18-10-2-6
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00172
Работа выполнена в рамках государственного задания по теме “Электрон” № АААА-А18-118020190098-5 и проекта № 18-10-2-6 программы Уральского отделения Российской академии наук при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-02-00172).
Поступила в редакцию: 19.02.2019
Исправленный вариант: 26.02.2019
Принята в печать: 26.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 919–922
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070194
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Подгорных, М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 935–939; Semiconductors, 53:7 (2019), 919–922
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodYakKri19}
\by С.~М.~Подгорных, М.~В.~Якунин, С.~С.~Криштопенко, М.~Р.~Попов, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий
\paper Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 935--939
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5458}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47870.9087}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133319}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 919--922
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070194}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5458
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p935
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024