Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 927–934
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47869.9057
(Mi phts5457)
 

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности ионизации примесей в квазиклассически сильных постоянном и переменном электрических полях в двумерной сверхрешетке на основе графена

П. В. Бадиковаa, С. Ю. Глазовab, Г. А. Сыродоевa

a Волгоградский государственный социально-педагогический университет
b Волгоградский государственный медицинский университет
Аннотация: Исследован коэффициент поглощения электромагнитной волны в двумерной сверхрешетке на основе графена, в присутствии постоянного электрического поля для случая квазиклассически сильных электрических полей. Выявлена анизотропия коэффициента поглощения при разной ориентации вектора напряженности постоянного и вектора поляризации переменного электрических полей. Показано, что медленный рост коэффициента поглощения при малых частотах обусловлен примесным поглощением, а более быстрый его рост при больших частотах определяется межминизонными переходами. Эти особенности можно использовать при создании детекторов излучения.
Ключевые слова: двумерная графеновая сверхрешетка, ионизация примесей, вероятность ионизации, туннелирование, коэффициент поглощения электромагнитной волны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-340005
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.2797.2017/4.6
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 18-42-340005 и Минобрнауки России на выполнение государственных работ в сфере научной деятельности в рамках проектной части государственного задания, код проекта 3.2797.2017/4.6.
Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 04.02.2019
Принята в печать: 06.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 911–918
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Бадикова, С. Ю. Глазов, Г. А. Сыродоев, “Особенности ионизации примесей в квазиклассически сильных постоянном и переменном электрических полях в двумерной сверхрешетке на основе графена”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 927–934; Semiconductors, 53:7 (2019), 911–918
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BadGlaSyr19}
\by П.~В.~Бадикова, С.~Ю.~Глазов, Г.~А.~Сыродоев
\paper Особенности ионизации примесей в квазиклассически сильных постоянном и переменном электрических полях в двумерной сверхрешетке на основе графена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 927--934
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5457}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47869.9057}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133318}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 911--918
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070042}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5457
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p927
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024