Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 890–896
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47863.8953
(Mi phts5451)
 

Электронные свойства полупроводников

О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения

Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Двукратное понижение концентрации дырок во всех образцах PbTe$\langle \mathrm{NaTe}\rangle$ при 77–450 K и такой же эффект, достигаемый при 77 K и сильном легировании только за счет введения в PbTe малой добавки олова, дополненные наблюдением в указанном диапазоне температурного гистерезиса в концентрации дырок, послужили основанием для развития иного подхода к изучению энергетического спектра в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$, альтернативного двузонной модели. В его основе лежит общее для данных материалов явление – компенсация носителей тока как ответ на электроактивное легирование. Появление компенсации связано с начальным (температура ниже 77 K) двухзарядным процессом – участием в одиночном акте легирования PbTe пары электронов благодаря их взаимному притяжению. С повышением температуры, как и с введением примеси, ситуация изменяется, изучение всех аспектов трансформации является задачей дальнейших исследований.
Ключевые слова: примесные состояния, температурный гистерезис, двухзарядный и однозарядный акцепторы.
Поступила в редакцию: 04.02.2019
Исправленный вариант: 12.02.2019
Принята в печать: 12.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 875–881
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070200
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов, “О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 890–896; Semiconductors, 53:7 (2019), 875–881
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ProKon19}
\by Л.~В.~Прокофьева, П.~П.~Константинов
\paper О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 890--896
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5451}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47863.8953}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133311}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 875--881
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070200}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5451
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p890
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024