|
Электронные свойства полупроводников
О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения
Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Двукратное понижение концентрации дырок во всех образцах PbTe$\langle \mathrm{NaTe}\rangle$ при 77–450 K и такой же эффект, достигаемый при 77 K и сильном легировании только за счет введения в PbTe малой добавки олова, дополненные наблюдением в указанном диапазоне температурного гистерезиса в концентрации дырок, послужили основанием для развития иного подхода к изучению энергетического спектра в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$, альтернативного двузонной модели. В его основе лежит общее для данных материалов явление – компенсация носителей тока как ответ на электроактивное легирование. Появление компенсации связано с начальным (температура ниже 77 K) двухзарядным процессом – участием в одиночном акте легирования PbTe пары электронов благодаря их взаимному притяжению. С повышением температуры, как и с введением примеси, ситуация изменяется, изучение всех аспектов трансформации является задачей дальнейших исследований.
Ключевые слова:
примесные состояния, температурный гистерезис, двухзарядный и однозарядный акцепторы.
Поступила в редакцию: 04.02.2019 Исправленный вариант: 12.02.2019 Принята в печать: 12.02.2019
Образец цитирования:
Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов, “О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 890–896; Semiconductors, 53:7 (2019), 875–881
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5451 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p890
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 8 |
|