Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 879–882
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47860.40 (Mi phts5448) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Теоретическое моделирование термоэлектрических свойств сплавов Гейслера Fe$_{2}$Ti$_{1-x}$V$_{x}$Sn

Е. Ж. Ашимa, Т. М. Инербаевbc, А. Т. Акилбековb, H. Mikid, T. Takagie, В. В. Ховайлоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Евразийский национальный университет им. Л. Н. Гумилёва, г. Нур-Султан
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
d Frontier Research Institute for Interdisciplinary Science, Tohoku University, Sendai, Japan
e Institute of Fluid Sciences, Tohoku University, Sendai, Japan
PDF полного текста (607 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47860.40
Аннотация: Приведены теоретические расчеты электронной структуры и коэффициента Зеебека в сплавах Fe$_{2}$Ti$_{1-x}$V$_{x}$Sn для случаев полностью упорядоченной $L2_{1}$ и частично разупорядоченной $B2$ кристаллической структуры Гейслера. Показано, что ширина запрещенной зоны увеличивается при замещении Ti на V. Сравнение с доступными теоретическими и экспериментальными данными указывает на то, что учет хаотичности в распределении атомов позволяет получить значения коэффициента Зеебека, более близкие к результатам экспериментов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-45018
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.Y26.31.0005
Министерство образования и науки Республики Казахстан 132
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 18-52-45018). Часть исследований выполнена в рамках совместного исследовательского проекта с Институтом науки о жидкостях Университета Тохоку. Вычисления были частично выполнены на суперкомпьютерном кластере “Cherry”, предоставленном Лабораторией моделирования и разработки материалов в НИТУ “МИСиС” (поддерживается грантом Министерства образования и науки Российской Федерации № 14.Y26.31.0005). Часть работы поддержана Министерством образования и науки Республики Казахстан, договор № 132 от 12 марта 2018 г. “Дизайн перспективных термоэлектрических полупроводниковых материалов методами расчета из первых принципов” по приоритету “Энергетика и машиностроение”.
Поступила в редакцию: 06.03.2019
Исправленный вариант: 11.03.2019
Принята в печать: 11.03.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 865–868
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Ж. Ашим, Т. М. Инербаев, А. Т. Акилбеков, H. Miki, T. Takagi, В. В. Ховайло, “Теоретическое моделирование термоэлектрических свойств сплавов Гейслера Fe$_{2}$Ti$_{1-x}$V$_{x}$Sn”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 879–882; Semiconductors, 53:7 (2019), 865–868
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AshIneAki19}
\by Е.~Ж.~Ашим, Т.~М.~Инербаев, А.~Т.~Акилбеков, H.~Miki, T.~Takagi, В.~В.~Ховайло
\paper Теоретическое моделирование термоэлектрических свойств сплавов Гейслера Fe$_{2}$Ti$_{1-x}$V$_{x}$Sn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 879--882
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5448}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47860.40}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133308}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 865--868
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5448
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p879
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024