|
Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страница 1164
(Mi phts5446)
|
|
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
[Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования]
N. D. Prasolova, A. A. Gutkinb, P. N. Brunkovab a St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics
b Ioffe Institute, St. Petersburg
Аннотация:
C использованием метода молекулярной динамики проведено моделирование в диапазоне температур от 1 до 15 K процесса наноиндентирования на глубину до 1 нм поверхностей (001) GaAs, терминированных As. Показано, что при этом происходит реконструкция поверхности с образованием устойчивых димеров As (1 $\times$ 2), которые не исчезают после отвода индентора от поверхности.
Поступила в редакцию: 25.03.2019 Исправленный вариант: 18.04.2019 Принята в печать: 25.04.2019
Образец цитирования:
N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1164
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5446 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1164
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 11 |
|