Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1080–1085
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47999.9130 (Mi phts5433) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зависимость интенсивности спонтанной люминесценции наностержней ZnO от их длины

А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, Е. Е. Якимов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
PDF полного текста (327 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47999.9130
Аннотация: Исследовано методами оптической люминесцентной микроскопии влияние длины наностержней оксида цинка (диаметром 500 нм) на модовую структуру и спонтанную люминесценцию в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что одиночные наностержни с металлическим зеркалом на одном из торцов имеют всего лишь две-три лазерных моды для малых длин нанорезонаторов 8–30 мкм. Установлена различная величина оптических потерь продольных и поперечных волноводных мод в наностержне ZnO, лежащем на стеклянной подложке. Квадратичную зависимость интенсивности спонтанной люминесценции от длины стержня можно объяснить улучшением оптической добротности Q связанных продольных мод света внутри более длинных стержней (эффект Парселла).
Ключевые слова: люминесценция, наностержни, излучательная рекомбинация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-00475-19-00
Работа выполнена в рамках государственного задания № 075-00475-19-00.
Поступила в редакцию: 04.04.2019
Исправленный вариант: 09.04.2019
Принята в печать: 09.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1060–1065
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080086
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, Е. Е. Якимов, “Зависимость интенсивности спонтанной люминесценции наностержней ZnO от их длины”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1080–1085; Semiconductors, 53:8 (2019), 1060–1065
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GruRedYak19}
\by А.~Н.~Грузинцев, А.~Н.~Редькин, Е.~Е.~Якимов
\paper Зависимость интенсивности спонтанной люминесценции наностержней ZnO от их длины
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1080--1085
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5433}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47999.9130}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129835}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1060--1065
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080086}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5433
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1080
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024