Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку

В процессе термооксидирования GaAs с магнетронно нанесенными наноразмерными слоями оксидов V$_{2}$O$_{5}$ и MnO$_{2}$ сформированы сложнооксидные пленки толщиной $\sim$200 нм. Методом вольт-амперных характеристик при комнатной температуре в диапазоне напряжений (-5)–(+5) В определены их электрофизические параметры (величина пробойного напряжения при обратном смещении и плотность тока), исследованы состав и морфология поверхности пленок. Показано, что V$_{2}$O$_{5}$ по сравнению с MnO$_{2}$ способствует более интенсивному химическому связыванию мышьяка на внутренней границе раздела с образованием As$_{2}$O$_{5}$, что для термически оксидированных гетероструктур V$_{2}$O$_{5}$/GaAs приводит к большим значениям напряжения пробоя.