Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1043–1046
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47992.9115 (Mi phts5426) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние рентгеновского излучения на оптические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута

В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, В. М. Стожаров

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (513 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47992.9115
Аннотация: Представлены результаты исследования спектров оптического поглощения в монокристаллах силиката висмута Bi$_{12}$SiO$_{20}$. Определены ширина запрещенной зоны и характеристическая энергия Урбаха. Установлено влияние предварительного рентгеновского облучения на поведение экспериментальных спектральных зависимостей и значения характеристических параметров, обусловленное дефектной структурой силиката висмута.
Ключевые слова: силикат висмута, силленит, спектральная зависимость, оптическое поглощение, рентгеновское излучение.
Поступила в редакцию: 26.03.2019
Исправленный вариант: 05.04.2019
Принята в печать: 08.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1024–1027
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080049
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, В. М. Стожаров, “Влияние рентгеновского излучения на оптические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1043–1046; Semiconductors, 53:8 (2019), 1024–1027
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaPisSto19}
\by В.~Т.~Аванесян, И.~В.~Писковатскова, В.~М.~Стожаров
\paper Влияние рентгеновского излучения на оптические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1043--1046
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5426}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47992.9115}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129828}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1024--1027
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080049}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5426
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1043
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024