Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1303–1308
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48144.28 (Mi phts5422) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры

А. В. Иконниковa, В. И. Черничкинa, В. С. Дудинa, Д. А. Акопянa, А. Н. Акимовb, А. Э. Климовbc, О. Е. Терещенкоbd, Л. И. Рябоваa, Д. Р. Хохловae

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный технический университет
d Новосибирский государственный университет
e Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (182 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48144.28
Аннотация: Спектры фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) исследованы методом фурье-спектроскопии в области дальнего инфракрасного диапазона при температурах от 4.2 до 32.4 K. Наряду с межзонными переходами в спектрах обнаружены субщелевые особенности, связанные с возбуждением примесно-дефектных состояний. Прослежена эволюция спектров при изменении температуры и в условиях дополнительной подсветки.
Ключевые слова: фотопроводимость, примесные состояния, поверхностные состояния, PbSnTe, эффект Бурштейна–Мосса.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00795
17-02-00575
Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты № 18-02-00795, 17-02-00575).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1272–1277
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090069
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Иконников, В. И. Черничкин, В. С. Дудин, Д. А. Акопян, А. Н. Акимов, А. Э. Климов, О. Е. Терещенко, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1303–1308; Semiconductors, 53:9 (2019), 1272–1277
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IkoCheDud19}
\by А.~В.~Иконников, В.~И.~Черничкин, В.~С.~Дудин, Д.~А.~Акопян, А.~Н.~Акимов, А.~Э.~Климов, О.~Е.~Терещенко, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1303--1308
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5422}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48144.28}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129889}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1272--1277
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090069}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5422
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1303
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024