Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1297–1302
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48143.27 (Mi phts5421) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

Т. А. Уаман Светиковаa, А. В. Иконниковa, В. В. Румянцевb, Д. В. Козловb, В. И. Черничкинa, А. В. Галееваa, В. С. Варавинc, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, С. В. Морозовb, В. И. Гавриленкоb

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (229 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48143.27
Аннотация: В эпитаксиальных пленках CdHgTe исследованы спектры фотопроводимости при различных температурах методом фурье-спектроскопии. В спектрах обнаружены особенности, связанные как с межзонным поглощением, там и с ионизацией примесно-дефектных состояний. Прослежена их эволюция с изменением температуры. Определены температуры “исчезновения” примесных особенностей, что позволило, используя уравнение электронейтральности, оценить концентрацию акцепторов в исследуемых структурах.
Ключевые слова: фотопроводимость, примесь, CdHgTe, фурье-спектроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00898
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 17-02-00898).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1266–1271
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090240
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1297–1302; Semiconductors, 53:9 (2019), 1266–1271
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UamIkoRum19}
\by Т.~А.~Уаман Светикова, А.~В.~Иконников, В.~В.~Румянцев, Д.~В.~Козлов, В.~И.~Черничкин, А.~В.~Галеева, В.~С.~Варавин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, С.~В.~Морозов, В.~И.~Гавриленко
\paper Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1297--1302
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5421}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48143.27}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129886}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1266--1271
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090240}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5421
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1297
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024