Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1293–1296
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48142.26 (Mi phts5420) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости

Д. С. Прохоровa, В. Г. Шенгуровa, С. А. Денисовa, Д. О. Филатовa, А. В. Здоровейщевa, В. Ю. Чалковa, А. В. Зайцевa, М. В. Ведьa, М. В. Дорохинa, Н. А. Байдаковаb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (109 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48142.26
Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции эпитаксиальных структур $n^+$-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки и легированных фосфором из источника на базе термически разлагаемого GaP до максимальной концентрации электронов 1 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Изучено влияние на спектры фотолюминесценции уровня легирования слоев $n^+$-Ge : P, а также быстрого термического отжига. Продемонстрирована перспективность использования эпитаксиальных слоев $n^+$-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки, в качестве активных областей светоизлучающих оптоэлектронных приборов ближнего инфракрасного диапазона.
Ключевые слова: эпитаксиальные слои германия на кремнии, метод горячей проволоки, легирование, фотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-10061
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект № 18-72-10061).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1262–1265
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Прохоров, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Д. О. Филатов, А. В. Здоровейщев, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, Н. А. Байдакова, “Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296; Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ProSheDen19}
\by Д.~С.~Прохоров, В.~Г.~Шенгуров, С.~А.~Денисов, Д.~О.~Филатов, А.~В.~Здоровейщев, В.~Ю.~Чалков, А.~В.~Зайцев, М.~В.~Ведь, М.~В.~Дорохин, Н.~А.~Байдакова
\paper Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1293--1296
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5420}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48142.26}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129885}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1262--1265
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5420
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1293
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025