Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1285–1288
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48140.24 (Mi phts5418) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении

Р. Х. Жукавинa, С. Г. Павловb, A. Pohlc, Н. В. Абросимовd, H. Riemannd, B. Redliche, H.-W. Hübersbc, В. Н. Шастинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b DLR Institute of Optical Sensor Systems, Berlin, Germany
c Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany
d Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Berlin, Germany
e ED Radboud University Nijmegen, Institute for Molecules and Materials, FELIX Laboratory, Nijmegen, The Netherlands
PDF полного текста (207 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48140.24
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований по наблюдению стимулированного излучения в терагерцовом диапазоне частот при оптическом внутрицентровом возбуждении одноосно-деформированного кремния, легированного висмутом. Накачка в представленном эксперименте осуществлялась излучением лазера на свободных электронах FELIX. Показано, что одноосная деформация кристалла кремния приводит к значительному изменению спектра стимулированного излучения примеси.
Ключевые слова: кремний, висмут, одноосное давление, внутрицентровое оптическое возбуждение, перестройка частоты излучения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00979
18-502-12077-ННИО
Deutsche Forschungsgemeinschaft 389056032
Работа поддержана в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований (19-02-00979) и совместного российско-германского проекта (DFG № 389056032 и 18-502-12077-ННИО).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1255–1257
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090288
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288; Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuPavPoh19}
\by Р.~Х.~Жукавин, С.~Г.~Павлов, A.~Pohl, Н.~В.~Абросимов, H.~Riemann, B.~Redlich, H.-W.~H\"ubers, В.~Н.~Шастин
\paper Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1285--1288
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5418}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48140.24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129883}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1255--1257
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090288}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5418
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1285
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025